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中机半导体材料取得碳化硅衬底减薄用2000目减薄砂轮制备方法专利:砂轮
国家知识产权局信息显示，中机半导体材料（深圳）有限公司取得一项名为“一种用于碳化硅衬底减薄用的2000目减薄砂轮的制备方法”的专利，授权公告号CN118905965B，申请日期为2024年9月砂轮
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中机半导体取得碳化硅衬底减薄用2000目减薄砂轮制备方法专利:砂轮
国家知识产权局信息显示，中机半导体材料（深圳）有限公司取得一项名为“一种用于碳化硅衬底减薄用的2000目减薄砂轮的制备方法”的专利，授权公告号CN118905965B，申请日期为2024年9月砂轮。
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